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发光二极管效能的提升

文章出处:网责任编辑:作者:倪凡人气:-发表时间:2013-08-03 14:21:00

  发光二极管效能的提升

  发光二级管的发光效能一般称为器件的外部量子效能(externalquantumefficiency),它是器件的内部量子效能(internalquantumefficiency)与器件的取出效能(extractionefficiency)的乘积。所谓器件的内部量子效能其实就是器件本身的电光转换效能,主要与器件本身的特性如器件材料的能带、缺陷、杂质,及器件的磊晶组成及结构等有关。而器件的取出效能指的则是器件内部生成的光子,在经过器件本身的吸收、折射、反射后实际上在器件外部可测量到的光子数目。因此相关于取出效能的因素包括了器件材料本身的吸收、器件的几何结构、器件及封装材料的折射率差及器件结构的散射特性等。而上述两种效能的乘积,就是整个器件的发光效果,也就是器件的外部量子效能。早期器件的发展集中在提升其内部量子效能,方法主要是利用提高磊晶的质量及改变磊晶的结构,使电能不易转换成热能,进而间接提高LED发光二极管的发光效能,从而可获得约70%左右的理论内部量子效能。但是这样的内部量子效能几乎已经接近理论的极限,在这种状况下,光靠提升器件的内部量子效能是不可能提升器件的总光量的,也就是外部量子效能达到目前的两到三倍,提升器件的取出效能便成为重要的课题。目前用于提升器件取出效能的方法,主要可以分为下列几个方向:

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